化合物半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 浅野 英樹 |
| 发表日期 | 1997-01-21 |
| 专利号 | JP1997022894A |
| 著作权人 | 富士フイルムホールディングス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 有機金属気相成長により化合物半導体を結晶成長させて半導体素子を製造する方法において、選択エッチングによる残厚を再現性良く制御可能とする。 【解決手段】 反応装置内で基板(基板と一体化されたクラッド層4)の一部をジメチルアミノ基またはジエチルアミノ基を有する有機V族原料を用いて選択的にガスエッチングした後、該反応装置内において引き続き、クラッド層4のガスエッチングされた部分の上に、有機金属気相成長により化合物半導体層9、10、11を選択的に結晶成長させる。 |
| 公开日期 | 1997-01-21 |
| 申请日期 | 1995-07-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84245]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士フイルムホールディングス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 浅野 英樹. 化合物半導体素子の製造方法. JP1997022894A. 1997-01-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。