半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 西村 晋 |
| 发表日期 | 2000-02-08 |
| 专利号 | JP2000040855A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 温度上昇によって発光素子の波長が変動しても受光素子の感度が低下することがない半導体発光装置を提供する。 【解決手段】 標準波長がλ0に設定され、動作保障範囲の上限とされた温度における波長がλ1に変動する半導体発光素子5と、該発光素子5が出力する光を表面の被膜7を介して受光する受光素子6を備えた半導体発光装置1において、発光素子5の波長λ0の光と波長λ1の光が被膜7を透過する透過率の差を被膜の厚さを変化させて求めて、その透過率差が正の値をとる膜厚の範囲内に、被膜7の膜厚(t)を設定した。 |
| 公开日期 | 2000-02-08 |
| 申请日期 | 1998-07-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84251]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西村 晋. 半導体発光装置. JP2000040855A. 2000-02-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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