半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 福久 敏哉; 木戸口 勲; 古川 秀利 |
| 发表日期 | 2008-03-27 |
| 专利号 | JP2008072145A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】良化現象を抑え、歩留よくかつ生産性の高い自励発振型レーザや高出力レーザの構造を提供する。 【解決手段】n型のGaAs基板(301)上に、n型クラッド層(308、302)と活性層(309、303)とp型クラッド層(310、304)を含む発振波長が630nm以上690nm以下であるレーザと、発振波長が760nm以上810nm以下であるレーザとが形成されている二波長半導体レーザであって、GaAs基板のキャリア濃度が1×1018cm-3以下である。 【選択図】図4 |
| 公开日期 | 2008-03-27 |
| 申请日期 | 2007-12-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84253]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福久 敏哉,木戸口 勲,古川 秀利. 半導体レーザ装置. JP2008072145A. 2008-03-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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