窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 斎 藤 真 司; 小野村 正 明; ジョン レニー; 波多腰 玄 一; 藤 本 英 俊 |
| 发表日期 | 1998-06-09 |
| 专利号 | JP1998154851A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 簡単な工程で良好なへき開面を形成することができる窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 窒化物系化合物半導体のへき開面に沿って応力集中を生ずるように、楔形のエッチング溝を形成し、さらに、端部を基板から分離することにより、へき開が基板に誘導されることなく、発光層が自然へき開により、良好なミラーを形成することができる。また、端面の一部を基板から分離することにより基板からの歪みを受けづらくして、歪みによる劣化を防止することができる。 |
| 公开日期 | 1998-06-09 |
| 申请日期 | 1997-07-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84260]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 斎 藤 真 司,小野村 正 明,ジョン レニー,等. 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法. JP1998154851A. 1998-06-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。