光半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 佐々木 善浩 |
| 发表日期 | 2001-05-18 |
| 专利号 | JP3189880B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 優れた特性を有していることは勿論、部品点数、組立工数が少い光モジュールを構成できる光半導体素子を提供する。 【解決手段】 活性層3への電流注入により光学利得を発生する利得領域と、導波路における光の閉じ込めの度合いを緩くするモード変換領域と、モード変換領域の光の出射端付近に配され、逆バイアスの印加により光の一部を吸収して光の強度をモニタするモニタ領域とを一素子内に有している。 |
| 公开日期 | 2001-07-16 |
| 申请日期 | 1997-08-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84264]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐々木 善浩. 光半導体素子. JP3189880B2. 2001-05-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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