半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 植木 伸明; 中山 秀生; 福永 秀樹 |
| 发表日期 | 2000-02-04 |
| 专利号 | JP3028641B2 |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】出射端面近傍での光吸収による光学的損傷(COD)を防止することができるのは勿論のこと、高出力かつ低しきい値の半導体レーザを、高い信頼性でしかも量産化にすぐれた状態で実現可能な半導体レーザ及びその製造方法を提供することを目的とする。 【構成】第1クラッド層と、この第1クラッド層上に積層された活性層と、この活性層上に積層された第2クラッド層とを備え、この第2クラッド層の上部にリッジ·ストライプ部を形成するとともに、このリッジ·ストライプ部の出射端面側の端部に、その表面をリッジ·ストライプ部の側方の表面と同一平面とした切欠部を設け、前記リッジ·ストライプ部の側方表面及び切欠部表面から前記活性層に達する不純物拡散領域を設けるように構成した。 |
| 公开日期 | 2000-04-04 |
| 申请日期 | 1991-05-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84267]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 植木 伸明,中山 秀生,福永 秀樹. 半導体レーザ及びその製造方法. JP3028641B2. 2000-02-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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