半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 原 義博; 石橋 明彦; 長谷川 義晃; 上村 信行; 粂 雅博; 伴 雄三郎; 木戸口 勲 |
| 发表日期 | 1998-09-11 |
| 专利号 | JP1998242576A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 平坦なエッチング面を得ることのできるエッチング方法を用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 サファイア(0001)面基板101上にMOCVD法等により、各半導体層102〜107をエピタキシャル成長する。半導体結晶の表面にレジストを塗布した後、フォトマスクを用いて露光および現像を行いレジストマスク108を形成する。そして、このマスク108を用いてArイオンを用いたイオンミリングにより、半導体結晶の一部をエッチングしてn型GaN層103を露出させる。エッチング工程として、Arイオン等によるイオンミリングを用いることにより、エッチング残渣やエッチピットのない平坦なエッチング面を得ることができる。 |
| 公开日期 | 1998-09-11 |
| 申请日期 | 1997-02-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84273]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 原 義博,石橋 明彦,長谷川 義晃,等. 半導体発光素子の製造方法. JP1998242576A. 1998-09-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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