量子井戸半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 大久保 典雄; 菊田 俊夫 |
| 发表日期 | 1994-10-28 |
| 专利号 | JP1994302910A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 量子井戸半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 キャリアの活性層への注入効率や温度特性が高く、シリーズ抵抗が低い量子井戸半導体レーザを提供する。 【構成】 n型GaAs基板1上に、n-GaAsバッファ層2、n-InGaPクラッド層3、n型光閉じ込め層15、InGaAs歪量子井戸活性層7、p型光閉じ込め層16、p-InGaPクラッド層11、p-GaAsキャップ層12を順に積層形成し、キャップ層12とクラッド層11の一部分にかけて半導体レーザの左右両側をエッチング除去し、除去した部分にポリイミド膜17を形成する。n型光閉じ込め層15とp型光閉じ込め層16は各々バレンスバンドエネルギが異なるInGaAsPの層を積層形成して、エネルギ的に階段状になるように構成し、p型光閉じ込め層16の厚さをn型光閉じ込め層15の厚さよりも厚くする。 |
| 公开日期 | 1994-10-28 |
| 申请日期 | 1993-04-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84275]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大久保 典雄,菊田 俊夫. 量子井戸半導体レーザ. JP1994302910A. 1994-10-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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