半導体装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 奥野 八重; 河野 敏弘 |
| 发表日期 | 1994-04-15 |
| 专利号 | JP1994104174A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】成長層の結晶性を向上させるために行う熱処理の際に、成長層の品質の低下を防ぐヘテロエピタキシー技術を提供する。 【構成】第一の格子定数を有する第一の半導体層と、第二の格子定数を有する第二の半導体層と、前記第一および第二の半導体層の間に配設された転位低減領域とを有し、前記転位低減領域は第三の格子定数を有する第三の半導体層と、前記第三の格子定数にほぼ等しい格子定数を有し前記第三の半導体層より耐熱性に優れた第四の半導体層から成る。 【効果】半導体層3で被覆されることにより、熱処理によって半導体層2が損傷を受けることが防がれ、熱処理の効果により高品質な半導体層2,4が損傷を受けることなく得られる。 |
| 公开日期 | 1994-04-15 |
| 申请日期 | 1992-09-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84278]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥野 八重,河野 敏弘. 半導体装置及びその製造方法. JP1994104174A. 1994-04-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。