GaN系の半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 伊藤 潤; 柴田 直樹; 千代 敏明; 野杁 静代 |
| 发表日期 | 2000-09-22 |
| 专利号 | JP2000261033A |
| 著作权人 | 豊田合成株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | GaN系の半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 Si基板を有する結晶性のよいGaN系の半導体素子を提供する。特に、GaN系の半導体層の下地層としてTi層を用いるときTi層とSi基板との反応を防止する。 【解決手段】 Si基板とTi層との間に耐熱層を介在させる。この耐熱層はGaN系の半導体層の成長温度(約1000℃)においても、Si基板とTi層とを分離しており、両者が反応することを防止する。 |
| 公开日期 | 2000-09-22 |
| 申请日期 | 1999-03-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84282]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 豊田合成株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊藤 潤,柴田 直樹,千代 敏明,等. GaN系の半導体素子. JP2000261033A. 2000-09-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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