半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 細田 昌宏; 角田 篤勇; 谷 健太郎; 菅 康夫; ▲高▼橋 向星 |
| 发表日期 | 1993-11-12 |
| 专利号 | JP1993299781A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 駆動電圧を増大することなく駆動電流が低減され、しかも少ない工程で製造することができる半導体発光素子を提供する。 【構成】 p型クラッド層4のメサストライプ部の両側に形成された半導体層に両性不純物がドーピングされている。p型クラッド層4においては、該メサストライプ部の側面10と該メサストライプ部以外の面11では混晶の結晶面が異なるため、該p型クラッド層4上に積層形成された半導体層6、7は、該両性不純物によって該側面上ではp型半導体層6b、7bとなり、メサストライプ部以外の面ではn型半導体層6a、7aとなる。よって、メサストライプ部底部の幅はn型半導体層6a、7aによって制限されて電流注入幅が狭くなるので、注入電流は低減されるが、メサストライプ部の上部の実質的な開口面積は広がるので駆動電圧は増大しない。 |
| 公开日期 | 1993-11-12 |
| 申请日期 | 1992-04-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84283]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 細田 昌宏,角田 篤勇,谷 健太郎,等. 半導体発光素子. JP1993299781A. 1993-11-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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