半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 天明 二郎; 岡安 雅信; 和田 正人 |
| 发表日期 | 1994-12-06 |
| 专利号 | JP1994338657A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 低温プロセスで表面再結合が小さく、化学的に安定な埋め込みウィンドウ構造を提供し、高信頼性で高出力の0.98μm帯半導体レーザを提供することを目的とする。 【構成】 単一或いは多重のInyGa1-yAs量子井戸層からなる活性層(6)とAlxGa1-xAsからなるクラッド層(3,9)、ガイド層(4,8)並びにコンタクト層(10)等で構成されたエピタキシャル成長膜を用いた半導体レーザにおいて、共振器両端部に、共振器方向にある一定の長さで、活性層(6)を横切って埋め込まれたInGaP層(11)を持つことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1994-12-06 |
| 申请日期 | 1993-05-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84287]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 天明 二郎,岡安 雅信,和田 正人. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1994338657A. 1994-12-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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