半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 奥山 浩之; 喜嶋 悟; 小林 高志 |
| 发表日期 | 1999-06-02 |
| 专利号 | JP1999150333A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 活性層から光導波層へのキャリアのオーバーフローを抑制することができ、寿命特性の優れた高品質のII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 n型GaAs基板1上にバッファ層を介してn型Zn1-x Mgx Sy Se1-y クラッド層5、n型Zn1-u Mgu Sv Se1-v 光導波層6、Zn1-z Cdz Se層からなる活性層7、p型Zn1-u Mgu Sv Se1-v 光導波層8およびp型Zn1-x Mgx Sy Se1-y クラッド層を順次積層してレーザ構造を形成する。n型Zn1-u Mgu Sv Se1-v 光導波層6およびp型Zn1-uMgu Sv Se1-v 光導波層8の組成を、n型GaAs基板1に対する格子不整合Δa/aの絶対値が0.01以下、活性層7との間のバンドギャップの差が0.3eV以上、n型Zn1-x Mgx Sy Se1-y クラッド層6およびp型Zn1-u Mgu Sv Se1-v クラッド層との間の屈折率差が0.1以上となるよう選ぶ。一例として、x=0.25、y=0.28、u=0.11、v=0.16、z=0.25とする。 |
| 公开日期 | 1999-06-02 |
| 申请日期 | 1997-11-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84289]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥山 浩之,喜嶋 悟,小林 高志. 半導体発光素子. JP1999150333A. 1999-06-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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