半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 知野 豊治; 瀧澤 俊幸 |
| 发表日期 | 2000-01-14 |
| 专利号 | JP2000012975A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 埋め込みヘテロ構造型半導体レーザ装置の長期信頼性を確保できるようにする。 【解決手段】 n型InPからなる基板11上にはレーザ光の共振器となる断面凸状のストライプ領域12が形成されている。下部ストライプ領域12aは、基板11側から、n型InPからなるn型クラッド層13及びn型InGaAsPからなる第1の導波路層14が積層され、上部ストライプ領域12bは、第1の導波路層14の上にInGaAsPからなる活性層15,p型InGaAsPからなる第2の導波路層16及びp型InPからなるp型クラッド層17が積層されてなる。ストライプ領域12は[011]方向に形成されており、上部ストライプ領域12bの側面は面方位が(0-11)面を示しており、下部ストライプ領域12aの側面は面方位が(1-11)B面を示している。 |
| 公开日期 | 2000-01-14 |
| 申请日期 | 1998-06-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84296]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 知野 豊治,瀧澤 俊幸. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP2000012975A. 2000-01-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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