半導体レーザ,及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大倉 裕二; 宮下 宗治; 唐木田 昇市 |
| 发表日期 | 1998-04-14 |
| 专利号 | JP1998098234A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ,及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 リッジ幅制御,及び埋め込み成長が容易であり、かつ高出力動作時にも高信頼性を有する半導体レーザ,及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 n-GaAs基板1上に配置されたAlGaAsからなるダブルヘテロ接合構造を構成し、かつ順メサリッジストライプ4aを有する上クラッド層4と、上クラッド層4の主面上に配置された高Al組成のn-AlGaAs第1電流ブロック層6と、上クラッド層4のメサリッジストライプ4aの側面上に配置された低Al組成のn-AlGaAs第2電流ブロック層9と、第1電流ブロック層6上に、メサリッジストライプ4a,及び第2電流ブロック層9を埋めるように配置されたn-GaAs第3電流ブロック層10とを備えたものである。 |
| 公开日期 | 1998-04-14 |
| 申请日期 | 1996-09-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84310]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大倉 裕二,宮下 宗治,唐木田 昇市. 半導体レーザ,及びその製造方法. JP1998098234A. 1998-04-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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