窒化物半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 大野 彰仁; 蔵本 恭介 |
| 发表日期 | 2009-04-02 |
| 专利号 | JP2009071341A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】本発明は、動作電圧を抑制した窒化物半導体発光素子に関し、低い電圧での 利用に適した、窒化物系半導体からなる発光素子を提供する事を目的とする。 【解決手段】p型コンタクト層と、該p型コンタクト層の下層に形成されたp型中間層と、該p型中間層の下層に形成されたp型クラッド層とを備える。該p型コンタクト層はMgがドープされたInAlGaNであり、該p型中間層はMgがドープされた、AlGaNであり、該p型クラッド層はMgがドープされた、AlGaNであり、該p型コンタクト層と該p型中間層間および、該p型中間層と該p型クラッド層間のバンドギャップ差がそれぞれ100meV以下であり、該p型中間層のバンドギャップは、該p型コンタクト層のバンドギャップと該p型クラッド層のバンドギャップの間の値であり、該p型中間層のMg濃度は、該p型クラッド層のMg濃度より低い。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2009-04-02 |
| 申请日期 | 2009-01-08 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84320]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大野 彰仁,蔵本 恭介. 窒化物半導体発光素子. JP2009071341A. 2009-04-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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