半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 近藤 正彦; 丹羽 敦子; 魚見 和久; 佐川 みすず |
| 发表日期 | 1996-07-30 |
| 专利号 | JP1996195522A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は、ΔEcが十分に大きい材料系を使用する事により、環境温度が変化しても特性がほとんど変化しないの光通信用半導体レーザを提供することを目的とする。 【構成】 n-GaP基板1、n-GaPクラッド層2、光ガイド層3、5及びGaNAs量子井戸層4から構成される単一量子井戸活性層6、p-GaPクラッド層7により構成されている。 【効果】 本発明により、25℃から85℃の範囲におけるToが100Kを越える高温動作特性の優れた光通信用半導体レーザを提供することができる。 |
| 公开日期 | 1996-07-30 |
| 申请日期 | 1994-11-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84321]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 正彦,丹羽 敦子,魚見 和久,等. 半導体レーザ. JP1996195522A. 1996-07-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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