光半導体装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 荻田 省一; 藤井 卓也 |
| 发表日期 | 1998-01-16 |
| 专利号 | JP1998012972A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】光ビームスポット径を所望の形状に変換する構造の光半導体装置に関し、テーパ状に形成される導波路のナローギャップ層に荒れを生じさせないこと。 【解決手段】基板1の上に形成された第1の第一導電型半導体層2と、前記第1の第一導電型半導体層2の上方に形成された第二導電型電流ブロック層4と、前記第二導電型電流ブロック層4内で光進行方向に長く且つ少なくとも一端の近傍において幅が徐々に狭く形成される溝6と、前記第二導電型電流ブロック層4の上と前記溝6の中に形成され、且つ少なくとも前記一端の近傍において幅が徐々に狭くなっている凹部7aを有する第2の第一導電型半導体層7と、前記凹部7a内に形成され、且つ少なくとも前記一端の近傍において幅が徐々に狭くなっているナローギャップ半導体層8と、前記ナローギャップ半導体層8上に形成された第二導電型半導体層9とを含む。 |
| 公开日期 | 1998-01-16 |
| 申请日期 | 1996-06-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84328]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 荻田 省一,藤井 卓也. 光半導体装置及びその製造方法. JP1998012972A. 1998-01-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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