半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 石川 正行; 西川 幸江; 斎藤 真司 |
| 发表日期 | 2001-07-06 |
| 专利号 | JP3207618B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体装置 |
| 英文摘要 | 【目的】GaAs基板上にワイドギャップ II-VI族化合物半導体からなる化合物半導体層を形成しても素子特性の劣化を防止し得る構造の半導体装置(半導体レーザ,LED,HBT,etc )を提供すること。 【構成】半導体レーザの場合には、p型GaAs基板1と、このp型GaAs基板1上に設けられたp型InGaP表面層2と、このp型InGaP表面層2上に設けられたp型InGaAlPワイドキャップ層3と、このp型InGaAlPワイドキャップ層3上に設けられ、p型ZnSe下部クラッド層6とn型ZnSe上部クラッド層8とで挾持されたCdZnSe/ZnSe量子井戸活性層7とを備えていることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2001-09-10 |
| 申请日期 | 1993-06-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84335]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石川 正行,西川 幸江,斎藤 真司. 半導体装置. JP3207618B2. 2001-07-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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