半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 宇野 智昭; 冨士原 潔 |
| 发表日期 | 1996-08-09 |
| 专利号 | JP1996204276A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 多重量子井戸構造を有し、高出力の半導体レーザを提供する。 【構成】 誘電体膜を高反射率コートして形成される側の前記活性共振器構造のストライプ幅Wa1が、前記誘電体膜を低反射率コートして形成される側の前記活性共振器構造のストライプ幅Wa2よりも広く設定されて、かつ前記活性共振器構造のストライプ幅がWa1からWa2まで連続して緩やかに変化することを特徴とする。ストライプ幅を変化させる効果により、キャリア密度分布が平坦化されるために、共振器内部の各点に於いて利得プロファイルが等しくなりその結果出力されるレーザ光強度スペクトルの波長幅が抑制される。また共振器内部に於いてキャリア密度が平均化されるために、従来例のように共振器の一部のみが高励起状態で劣化しやすく、また埋め込み層のサイリスタ動作を引き起こしやすい部分がなくなり、周囲温度の変化に対しても安定に高い光出力動作が得られる。 |
| 公开日期 | 1996-08-09 |
| 申请日期 | 1995-01-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84344]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宇野 智昭,冨士原 潔. 半導体レーザ素子. JP1996204276A. 1996-08-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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