III族窒化物半導体光素子
文献类型：专利
| 作者 | 笹岡 千秋 |
| 发表日期 | 2007-03-15 |
| 专利号 | JP2007067432A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III族窒化物半導体光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】III族窒化物半導体を容易に加工することのできる技術を提供するとともに、これにより実現される新規な素子構造を提供する。 【解決手段】電流狭窄層308を以下のプロセスにより形成する。低温堆積により非結晶層を形成した後、エッチングにより開口部を設ける。その後、非結晶層形成温度よりも高い温度でp型クラッド層309より上部の層を形成することにより、非結晶層を結晶層に変換する。非結晶層の形成温度を約400℃、p型クラッド層309より上部の層の形成温度を1100℃程度とする。 【選択図】図3 |
| 公开日期 | 2007-03-15 |
| 申请日期 | 2006-10-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84347]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 笹岡 千秋. III族窒化物半導体光素子. JP2007067432A. 2007-03-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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