半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 菅生 繁男 |
| 发表日期 | 1994-01-28 |
| 专利号 | JP1994021572A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明による半導体レーザはクラッド層と電極との間に接触抵抗の小さくできる接合層を有するために、接触抵抗による発熱の問題のない半導体レーザを提供することにある。 【構成】 本発明の半導体レーザは、第2クラッド層13と第2導電形電極15との間に接触抵抗低減のために、第1接合層17(窒素ドープZn0.25Cd0.75S、厚さ0.1μm)及び第2接合層18(窒素ドープZn0.25Hg0.75S、厚さ0.1μm)を設けている。そのため、禁制帯幅を小さくでき、しかも、基板の格子定数との不整合による欠陥が生じない材料を接合層にする事によって接触抵抗を低減できる。第2接合層の禁制帯幅が基板の砒化ガリウム程度に小さいため1018cm-3程度のドーピング濃度でも低い接触抵抗が期待できる。この場合、第1接合層、第2接合層ともにII族成分組成の亜鉛割合が約25%で基板に格子整合した組成を得ることができるため、格子歪による転位欠陥が生じない。 |
| 公开日期 | 1994-01-28 |
| 申请日期 | 1992-07-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84349]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 菅生 繁男. 半導体レーザ. JP1994021572A. 1994-01-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。