半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 大林 健; 須山 尚宏; ▲吉▼田 智彦; 近藤 雅文; 細羽 弘之; 兼岩 進治; 幡 俊雄 |
| 发表日期 | 1999-09-03 |
| 专利号 | JP2975473B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 低閾値電流、低雑音でかつ、レーザ放射光の楕円率の良好な半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 下部第一クラッド層13a、43aの下側、あるいは上部第一クラッド層17a、47aの上側の少なくとも一方に、近接する第一クラッド層の屈折率より高い第二クラッド層13b、17b、22、43b、47bを形成する。このため、光の大半を活性層15、45及び光ガイド層14、16、44、46に閉じ込めつつ、残りの光は広く分布される。従って、SCH構造、GRIN-SCH構造によって得られた高い活性層15、45への光閉じ込め係数をほとんど変えずに、活性層15、45と光ガイド層14、16、44、46の成長界面に垂直方向の遠視野像を小さくすることが可能となる。 |
| 公开日期 | 1999-11-10 |
| 申请日期 | 1992-03-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84354]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大林 健,須山 尚宏,▲吉▼田 智彦,等. 半導体レーザ素子. JP2975473B2. 1999-09-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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