半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 山本 剛之 |
| 发表日期 | 1999-04-09 |
| 专利号 | JP1999097789A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 上部クラッド層の抵抗の増加を抑制し、かつ実装基板への搭載の容易なリッジ型半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 半導体基板の主表面の上に、活性層が形成されている。活性層は、出射端面から反射端面に向かってある距離までの領域において出射端面に近づくに従って徐々に薄くなっている。活性層の上に出射端面から反射端面に向かって延在するリッジ部が形成されている。リッジ部の出射端面から第1の距離までの領域においては、出射端面に近づくに従って徐々に幅広になり、出射端面から第2の距離までの第1の領域の上面が、その他の第2の領域の上面よりも高くされている。半導体基板の主表面のうち、リッジ部の両脇の領域上にメサ構造部が形成されている。メサ構造部の上面が、リッジ部の上面のうち最も高い部分と等しいかまたはそれよりも高い位置に主表面と平行な仮想平面を画定する。 |
| 公开日期 | 1999-04-09 |
| 申请日期 | 1997-09-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84361]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 剛之. 半導体レーザ装置. JP1999097789A. 1999-04-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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