半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 古谷 章; 須藤 久男; 近藤 真人 |
| 发表日期 | 1994-09-22 |
| 专利号 | JP1994268311A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザ及びその製造方法に関し、光学特性及び電流閉じ込め性が良好な半導体レーザを少ない工程で簡単に製造できるようにする。 【構成】 n-GaAs基板11の軸方向或いは軸方向に順メサ斜面を有するストライプ溝11Aが形成され、その基板11上にストライプ溝11Aに倣う屈曲構造を持った少なくともn-AlGaInPクラッド層12及びInGaP活性層13及びp-AlGaInPクラッド層14からなるダブル·ヘテロ構造が形成され、ストライプ溝11Aに倣って生成されたクラッド層14上に於けるストライプ溝内にクラッド層14に比較し狭いエネルギ·バンド·ギャップをもったストライプのp-InGaP中間層15が形成され、中間層15及びクラッド層14を覆い且つ中間層15に比較して狭いエネルギ·バンド·ギャップをもったp-GaAsコンタクト層16が形成される。 |
| 公开日期 | 1994-09-22 |
| 申请日期 | 1993-03-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84363]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 古谷 章,須藤 久男,近藤 真人. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1994268311A. 1994-09-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。