半導体光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 工藤 耕治 |
| 发表日期 | 1997-02-07 |
| 专利号 | JP1997036496A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】結晶成長のみを用いて、均一深さの回折格子にλ/4シフトの導入や光導波方向への光結合係数の変調構造の形成を可能とすることによって、その作製プロセスを大幅に簡単化するとともに高機能光素子を得る。 【解決手段】第1、第2の半導体層に挟まれた回折格子を有する半導体光素子において、回折格子を挟む半導体層を、ストライプ状誘電体薄膜を成長阻止マスクとする選択成長を用いて形成し、光導波方向でストライプ幅を適当に変化させることによって、半導体層の組成波長(屈折率)を制御し、回折格子へλ/4シフトの導入を可能とし、また光結合係数の変調をも可能とする。この選択成長を用いて形成された回折格子を有する半導体光素子は、分布反射器の光結合係数を任意に制御することができ、光素子の機能を最大限に取り出すことのできる分布反射器構造を形成することができる。 |
| 公开日期 | 1997-02-07 |
| 申请日期 | 1995-07-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84373]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 工藤 耕治. 半導体光素子及びその製造方法. JP1997036496A. 1997-02-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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