半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 平山 祥之; 清水 均; 菅田 純雄 |
| 发表日期 | 1994-01-14 |
| 专利号 | JP1994005981A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 一回の結晶成長で電流狭窄構造まで形成できる、良質な半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 【構成】 3-5族化合物半導体基板11上に、それぞれ3-5族化合物半導体からなる下部クラッド層13、活性層14、上部クラッド層15を順次積層した半導体レーザ素子の製造方法において、上部クラッド層15の結晶面方位を3族安定化面とし、前記上部クラッド層15に両性不純物をドーピングし、次いで、上部クラッド層15の所望の領域にレーザアニールを施す。 |
| 公开日期 | 1994-01-14 |
| 申请日期 | 1992-06-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84376]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 平山 祥之,清水 均,菅田 純雄. 半導体レーザ素子の製造方法. JP1994005981A. 1994-01-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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