半導体レーザとその製法
文献类型：专利
| 作者 | 岡 聡彦; 黒田 崇郎; 山下 茂雄; 佐々木 義光; 河野 敏弘 |
| 发表日期 | 1993-04-09 |
| 专利号 | JP1993090694A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザとその製法 |
| 英文摘要 | 【目的】劈開によらず、エッチングにより垂直·平滑な端面ミラーを得て、発振閾値が小さく集積化が容易な半導体レーザを得るのを目的とする。 【構成】{111}面に垂直な面方位を有する(1-10)p-InP基板1上に、方向に沿って導波路ストライプを形成し、エッチングにより導波路両端に{111}面の端面ミラー9a、9bを形成する。 |
| 公开日期 | 1993-04-09 |
| 申请日期 | 1991-04-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84409]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡 聡彦,黒田 崇郎,山下 茂雄,等. 半導体レーザとその製法. JP1993090694A. 1993-04-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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