半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 橋本 順一 |
| 发表日期 | 2000-02-25 |
| 专利号 | JP2000058973A |
| 著作权人 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ素子の内部抵抗を抑えて、素子の発熱を低減することが可能な半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明の半導体レーザ素子は、基板2上に設けられた活性層8と、AlGaInP半導体およびGaInP半導体の少なくともいずれか一方を含み活性層8に沿って設けられた第1クラッド層20と、活性層8と第2のクラッド層20との間に挟まれ、GaInAsP半導体を含む中間層22と、中間層22と活性層8との間にに挟まれ、AlGaInP半導体およびGaInP半導体の少なくともいずれか一方を含む第1のクラッド層12と、を備える。中間層は組成比を変化させることによってバンドギャップを変化できるので、中間層にGaAs半導体を使用する場合に比べて、第1のおよび第2のクラッド層と中間層との界面のヘテロ障壁が縮小される。 |
| 公开日期 | 2000-02-25 |
| 申请日期 | 1998-08-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84411]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 橋本 順一. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP2000058973A. 2000-02-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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