半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 穴山 親志; 古谷 章 |
| 发表日期 | 1995-10-13 |
| 专利号 | JP1995263805A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 埋め込み構造を用いない半導体レーザ装置に関し、一連の結晶成長工程でレーザ構造を作製でき、かつ高性能の半導体レーザを実現することのできる半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【構成】 (100)面あるいは(n11)A面(nは7 |
| 公开日期 | 1995-10-13 |
| 申请日期 | 1994-03-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84413]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 穴山 親志,古谷 章. 半導体レーザ装置. JP1995263805A. 1995-10-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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