半導体発光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 冨永 浩司 |
| 发表日期 | 2000-10-06 |
| 专利号 | JP2000277863A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 発光効率が高くかつ信頼性の高い半導体発光素子およびその製造方法を提供することである。 【解決手段】 発光ダイオード素子100においては、サファイア基板1上にバッファ層2、GaN層3、n-コンタクト層4、MQW発光層5、p-クラッド層6およびp-コンタクト層7が順に積層されている。GaN層3上の平行に並ぶ複数のストライプ状領域にマスク膜としてSiO2 膜10が形成されており、このSiO2 膜10に対応して、平行に並ぶ複数のストライプ状のp電極がp-コンタクト層7上に形成されている。 |
| 公开日期 | 2000-10-06 |
| 申请日期 | 1999-03-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84422]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冨永 浩司. 半導体発光素子およびその製造方法. JP2000277863A. 2000-10-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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