半導体レーザー
文献类型：专利
| 作者 | 内田 史朗 |
| 发表日期 | 2003-11-21 |
| 专利号 | JP3493920B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザー |
| 英文摘要 | 【課題】 AlGaInP系の自励発振型半導体レーザーにおいて、高温においても、確実に自励発振動作を持続することができるようにする。 【解決手段】 少なくとも活性層3と、p型クラッド層2と、n型クラッド層4とを有し、活性層に対するストライプ状電流通路を挟んでその両側に、電流狭搾および光吸収がなされるブロック層6を有するAlGaInP系半導体レーザーにおいて、p型クラッド層4あるいはn型クラッド層2の少なくともいずれか一方に、活性層3の厚さ方向の光の分布のピーク位置を、上記ブロック層6より遠ざける方向にシフトさせる自励発振安定化層10を配置した構成とする。 |
| 公开日期 | 2004-02-03 |
| 申请日期 | 1996-11-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84423]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内田 史朗. 半導体レーザー. JP3493920B2. 2003-11-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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