半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 御友 重吾; 成井 啓修 |
| 发表日期 | 2009-12-17 |
| 专利号 | JP2009296018A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】各導波路を経由して出射するレーザ光の波長を自在に設定できる複数本の導波路を有する半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】半導体レーザ素子は、(0001)面を基板面とするn型GaN基板上にステップ状構造を備えると共に、nを含む2種類のIII族元素及びNを含むV族元素を含む活性層を有するAlGaInN系の化合物半導体層からなる半導体積層体を備えている。複数本の導波路が、段差からの距離が互いに異なるようにステップ状構造の高領域に設けられている。ステップ状構造の高領域における活性層中のIn濃度は、段差に近い程高く、段差から離隔する程低くなる。活性層中のIn濃度が高い程、活性層のバンドギャップエネルギーが小さくなり、従って発振波長が長くなる。同一の基板面内で発振波長を変えた複数の導波路を有する半導体レーザ素子、例えばAlGaInN系の半導体レーザ素子を実現することができる。 【選択図】図5 |
| 公开日期 | 2009-12-17 |
| 申请日期 | 2009-09-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84424]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 御友 重吾,成井 啓修. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP2009296018A. 2009-12-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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