半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 岡 聡彦 |
| 发表日期 | 1997-06-06 |
| 专利号 | JP1997148670A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】低しきい値の半導体レーザまたはアレイを高歩留り化する。 【解決手段】(001)p-InP基板1上にn-InPブロック層2及び、p-InPブロック層3を選択成長し、(111)B面を側面とする溝が形成される。この溝内に、InGaAsP活性層5が配置され、さらにその上に、n-InP埋込層6bが積層されて、表面を平坦化する。 |
| 公开日期 | 1997-06-06 |
| 申请日期 | 1995-11-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84432]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡 聡彦. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1997148670A. 1997-06-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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