半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 藤井 宏明 |
| 发表日期 | 2000-01-21 |
| 专利号 | JP2000022267A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 埋め込みブロック層として AlInPまたは AlGaInPのような混晶半導体を用いた場合に、選択成長性が高く、なおかつメサストライプ側面での組成ずれによる歪みの少ない半導体レーザの製造方法を提供する。 【解決手段】 埋め込み選択成長の選択度を高め、動作電流低減に十分な層厚の電流ブロック層を形成すし、またメサストライプ側面部の電流ブロック層180での組成ずれを低減し歪みのない高信頼な半導体レーザを実現するため、埋め込みブロック層180として AlInPまたは AlGaInPのような混晶半導体を用いる半導体レーザにおいて、埋め込み層180のMOVPE結晶成長をIII族原料をパルス状に供給するパルス成長することにより誘電体マスク上での原料種の拡散長を大幅に増大する。 |
| 公开日期 | 2000-01-21 |
| 申请日期 | 1998-06-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84443]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤井 宏明. 半導体レーザの製造方法. JP2000022267A. 2000-01-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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