半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | ▲広▼山 良治; 西田 豊三; 賀勢 裕之; 伊藤 順子 |
| 发表日期 | 1997-03-07 |
| 专利号 | JP1997064472A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 良好な温度特性を有する製造の容易な半導体レーザ素子を提供することが目的である。 【解決手段】 n型の半導体基板1と、基板1上に形成され基板1と略格子整合するn型のAlGaInP系結晶からなるクラッド層3と、n型のクラッド層3上に形成された活性層6と、活性層3上に形成され基板1と略格子整合するp型のAlGaInP系結晶からなるクラッド層9と、を備え、少なくともp型クラッド層9中又はp型クラッド層9と活性層6の間に、p型クラッド層9よりエネルギーギャップが大きく且つp型クラッド層9よりホール濃度が小さいAlGaInP系結晶又はAlInP系結晶からなる障壁層をなす他のp型クラッド層8を設けた。 |
| 公开日期 | 1997-03-07 |
| 申请日期 | 1995-08-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84446]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ▲広▼山 良治,西田 豊三,賀勢 裕之,等. 半導体レーザ素子. JP1997064472A. 1997-03-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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