半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中尾 正史; 岡安 雅信; 湯田 正宏; 永沼 充 |
| 发表日期 | 1994-10-07 |
| 专利号 | JP1994283802A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 非平坦基板上への結晶成長を利用して、広帯域な発光特性をもち、高密度に集積化された、同一の出射面から発光するレーザ光源を実現することを主な目的としている。 【構成】 半導体上にあらかじめ形成するリッジ4の幅及び隣接するリッジとの間隔(溝幅)、及びリッジ4の高さを所定の範囲に設定し、有機金属気相成長(MOVPE)法により活性層を歪多重量子井戸(MQW)構造からなる半導体多層膜を形成するものである。 |
| 公开日期 | 1994-10-07 |
| 申请日期 | 1993-03-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84448]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中尾 正史,岡安 雅信,湯田 正宏,等. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1994283802A. 1994-10-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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