半導体発光装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松本 信一; 野口 悦男; 板屋 義夫 |
| 发表日期 | 1994-08-12 |
| 专利号 | JP1994224519A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 光伝送用光源として重要である半絶縁性高抵抗層埋め込み構造半導体レーザ等の半導体発光装置およびその製造方法を提供する。 【構成】 半絶縁性高抵抗結晶層を電流阻止層7としてなると共に、導電性クラッド層4,および電極層5としてなる導電型半導体層の一部の幅が、素子上部に向かって広がる構造を備えた半導体発光装置において、該導電型半導体層のうち、メサストライプ11を構成する部分と電流阻止層7との界面が素子上面において露出せず、溝12内に形成されたp型InPクラッド層4とp型InGaAs電極層5からなる導電型半導体層の一部によって被覆されている。 |
| 公开日期 | 1994-08-12 |
| 申请日期 | 1993-01-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84455]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松本 信一,野口 悦男,板屋 義夫. 半導体発光装置およびその製造方法. JP1994224519A. 1994-08-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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