半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 細井 浩行; 牧田 幸治 |
| 发表日期 | 2008-04-24 |
| 专利号 | JP2008098362A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】素子動作時のコンタクト抵抗の小さい半導体レーザ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ装置の製造方法は、基板102上に、第1導電型の第1クラッド層103、活性層104、第2導電型の第2クラッド層105、第2導電型のコンタクト層110及びダメージ吸収層111をこの順に積層する工程(a)と、第2クラッド層105、コンタクト層110及びダメージ吸収層111を加工し、ストライプ状のリッジを形成する工程(b)と、第2クラッド層105及びリッジを覆うように、誘電体材料からなる電流ブロック層107を形成する工程(c)と、ダメージ吸収層111上の電流ブロック層107の少なくとも一部を除去することにより、電流注入領域116を形成する工程(d)と、工程(d)の後に、コンタクト層110上の電流注入領域116の部分のダメージ吸収層111を除去する工程(e)とを備える。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-04-24 |
| 申请日期 | 2006-10-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84456]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 細井 浩行,牧田 幸治. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP2008098362A. 2008-04-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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