半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 山口 栄雄; 赤▲崎▼ 勇; 天野 浩 |
| 发表日期 | 2000-07-14 |
| 专利号 | JP2000196146A |
| 著作权人 | 日本学術振興会 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 III 族窒化物半導体を用いて紫外および可視短波長領域から赤外領域で発光する発光素子を実現するための素子構造を提供することにある。 【解決手段】 本発明による発光素子は、絶縁性基板をサファイア基板で構成し、このサファイア基板の層形成させるべき面を(0001)c面とし、このサファイア基板のc面上に第1導電型のAlNの緩衝層を介して第1導電型のGaNSi層の第1のクラッド層をエピタキシャル成長し、形成された際1のクラッド層上に単結晶の{InNまたは(およびGa1-x Inx NまたはAl1-x InxN)}の真性活性層InNをMOVPE法により形成し、また第1のクラッド層上に金属電極を形成し、この真性活性層上に第2導電型のキャップ層を形成し、このキャップ層上にMgを添加した第2導電型のAlGaN層を光閉じ込め層として形成し、この層上にMgを添加した第2導電型の第2のクラッド層、GaN層を形成し、この半導体層上に金属電極を形成することを特徴とする。これにより、燐および砒素等の有毒元素を含まない長波長発光素子が可能となる。 |
| 公开日期 | 2000-07-14 |
| 申请日期 | 1998-12-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84461]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本学術振興会 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山口 栄雄,赤▲崎▼ 勇,天野 浩. 半導体発光素子. JP2000196146A. 2000-07-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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