半導体レーザおよび光ディスク装置
文献类型：专利
| 作者 | 平田 照二 |
| 发表日期 | 2009-08-28 |
| 专利号 | JP4362873B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよび光ディスク装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 光ディスク装置の光源に用いた場合に戻り光雑音を極めて少なくすることができる半導体レーザおよびこの半導体レーザを光源に用いた光ディスク装置を提供する。 【解決手段】 活性層をn側クラッド層とp側クラッド層とによりはさんだ構造を有する半導体レーザにおいて、p側クラッド層のうち活性層との界面から100nm以内の所定距離離れた部分にZnなどのp型不純物を1×1018cm-3以上ドーピング飽和濃度以下の濃度にドープし、p側クラッド層のうち活性層との界面からその所定距離未満の部分はアンドープとする。n側クラッド層についても同様にするが、このときのSeなどのn型不純物の濃度は5×1017cm-3以上ドーピング飽和濃度以下にする。これに加えて、活性層を井戸層の数が少なくとも5以上の多重量子井戸構造とする。 |
| 公开日期 | 2009-11-11 |
| 申请日期 | 1998-05-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84462]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 平田 照二. 半導体レーザおよび光ディスク装置. JP4362873B2. 2009-08-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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