半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 石川 正行; 西川 幸江; 斎藤 真司 |
| 发表日期 | 1994-09-22 |
| 专利号 | JP1994268331A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【目的】動作電圧や動作電流の低減化が図れる II-VI族化合物半導体を用いた半導体発光装置を提供すること。 【構成】p型InP基板1と、このp型InP基板1上に形成され、Cd1-u-vZnu Mgv Se(0≦u, v≦1)からなるp型クラッド層2と、このp型クラッド層2上に形成され、Cd1-w-x Znw Mgx Se(0≦w, x≦1)からなる活性層3と、この活性層3上に形成され、Cd1-y-z Zny Mgz Se(0≦y, z≦1)からなるn型クラッド層4とを備えている。 |
| 公开日期 | 1994-09-22 |
| 申请日期 | 1993-03-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84469]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石川 正行,西川 幸江,斎藤 真司. 半導体発光装置. JP1994268331A. 1994-09-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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