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半導体レーザとその製造方法

文献类型:专利

作者小川 洋; 松井 康浩; 荒平 慎; 沓澤 聡子
发表日期1997-02-14
专利号JP1997045998A
著作权人OKI ELECTRIC IND CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザとその製造方法
英文摘要【課題】 従来の半導体レーザでは、利得スイッチ法で光パルスを発生させる場合に出射光のチャーピングが大きかった。 【解決手段】 本発明は、電流の注入により励起され所定の光を生成する活性層2と、この活性層2と隣接して設けられ活性層2から出射される光を導く導波部31とその光を反射させるブラッグ反射部32とが積層して成る導波層3とを備え、活性層2と隣接する一端側から他端側に向けて導波部31が徐々に薄くなる半導体レーザ1であり、この導波部31を、活性層2と隣接する一端側から他端側に向けて成長レートの変わる選択的な成長により形成する半導体レーザの製造方法である。
公开日期1997-02-14
申请日期1995-07-28
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84471]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位OKI ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
小川 洋,松井 康浩,荒平 慎,等. 半導体レーザとその製造方法. JP1997045998A. 1997-02-14.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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