半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 中塚 慎一; 後藤 順; 大家 彰; 河田 雅彦; 百瀬 正之 |
| 发表日期 | 1997-05-27 |
| 专利号 | JP1997139549A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】II-VI族化合物のクラッド層のエッチング深さを正確に制御でき、素子特性のばらつきが小さくて歩留向上が図れる青緑色半導体レーザを得る。 【解決手段】n-GaAs基板101上にII-VI族化合物の、クラッド層102、光ガイド層103、歪量子井戸活性層104、光ガイド層103、第1クラッド層105、Zn1-xCdxSySe1-yエッチング停止層106、Zn1-xMgxSySe1-y第2クラッド層107、キャップ層108、超格子コンタクト層109をMBE法により順次成長後、不図示のストライプ状マスクを用いて層108,109を除去し、更に層107の一部をNaOH水溶液で除去する。その後ブロック層110、埋込層111を形成する。ここで、層107の硫黄含有量を17.5モル%以下、エッチング停止層106の硫黄含有量を20モル%以上とし、層106の膜厚はy=0.5の時2nmと設定することにより、層106はエッチングされず、しかも電気的障壁とはならない。 |
| 公开日期 | 1997-05-27 |
| 申请日期 | 1995-11-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84473]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中塚 慎一,後藤 順,大家 彰,等. 半導体発光素子. JP1997139549A. 1997-05-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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