半導体レーザ装置とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 杉浦 勝己; 穴山 親志; 岡田 直子 |
| 发表日期 | 2000-01-14 |
| 专利号 | JP2000012960A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 製造プロセスが簡単で高性能の半導体レーザ装置とその製造方法に関し、製造プロセスが簡単であり、かつCODレベルを向上することができる半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、V族元素としてAsとPまたはNとを含む活性層を有し、共振器を形成する導波構造であって、実効的As濃度が共振器端部で共振器中央部より低い導波構造とを有する。 |
| 公开日期 | 2000-01-14 |
| 申请日期 | 1998-06-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84488]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杉浦 勝己,穴山 親志,岡田 直子. 半導体レーザ装置とその製造方法. JP2000012960A. 2000-01-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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