半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 藤井 宏明; 大矢 昌輝 |
| 发表日期 | 2000-02-02 |
| 专利号 | JP2000036640A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】端面近傍の非注入領域での光吸収損失の問題やメサ側面の酸化·品質低下の問題がない、高品質·高信頼な端面非注入型高出力レーザ及びその製造方法の提供。 【解決手段】半導体基板(図1の190)上に、少なくとも、第1のクラッド層(図1の130)と活性層(図1の110)と第2のクラッド層(図1の120及び150)とヘテロバッファ層(図1の160)とキャップ層(図1の170)と、がこの順に積層されたダブルへテロ構造を成し、第2のクラッド層のメサストライプ外側の領域にのみ形成された電流ブロック層(図1の200)と、メサストライプ及び電流ブロック層の上層に形成されたコンタクト層(図1の205)と、を備えた半導体レーザであって、キャップ層及びヘテロバッファ層の内、共振器端面に相当する部分を除去することにより、共振器端面に相当する部分において、第2のクラッド層と電流ブロック層とが当接している。 |
| 公开日期 | 2000-02-02 |
| 申请日期 | 1998-07-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84494]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤井 宏明,大矢 昌輝. 半導体レーザ及びその製造方法. JP2000036640A. 2000-02-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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