半導体発光素子および外部共振器型レーザ光源
文献类型：专利
| 作者 | 森 浩; 山田 敦史; 長島 靖明 |
| 发表日期 | 2006-07-13 |
| 专利号 | JP2006186250A |
| 著作权人 | アンリツ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子および外部共振器型レーザ光源 |
| 英文摘要 | 【課題】 端面に対する光導波路の交差角を大きくすることなく端面反射による戻り光の強度を低くする。 【解決手段】 活性層14をn型クラッド層12とp型クラッド層18とで挟んだ構造を有する光導波路が、劈開によって形成された第1端面10aとその反対側の第2端面10bとの間に連続して形成され、第1端面10a側が低反射率に形成された半導体発光素子10において、第1端面10aに対して光導波路の一端側が斜めに交差するように形成し、且つn型クラッド層14をp型クラッド層12より屈折率の高い組成で構成することにより、光導波路内の光のスポットサイズを拡大し、端面からの戻り光の強度を低減している。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-07-13 |
| 申请日期 | 2004-12-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84503]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | アンリツ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森 浩,山田 敦史,長島 靖明. 半導体発光素子および外部共振器型レーザ光源. JP2006186250A. 2006-07-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。