半導体レ-ザ装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 芹澤 晧元; 堀 義和; 松井 康; 宇野 智昭; 雄谷 順; 山本 博昭 |
| 发表日期 | 1996-01-17 |
| 专利号 | JP1996004176B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レ-ザ装置の製造方法 |
| 英文摘要 | PURPOSE:To arbitrarily setting the wavelength interval and to reduce the number of epitaxial growths by placing on a GaAs substrate a pluraliry of active layers of the AlGaAs, InGaAsP and AlGaInP systems and simultaneously forming a lateral buried layer. CONSTITUTION:On a GaAs substrate 1, an AlGaAs clad layer 2, AlGaAs active layer 3 and AlGaAs clad layer 4 are grown by a liquid phase growth method to a Ga solvent. Part of them is etched away, a p-InGaAsP layer is epitaxially grown by a liquid phase growth method of an In solvent, and an n-InGaP clad layer 5, an InGaAsP active layer 6 and a p-InGaP clad layer 7 are grown. Then a mesa etching is applied in stripes, a p-InGaP buried layer 8 and an n-InGap buried layer 9 are grown, and the individual elements are isolated by isolation etching, thereby making a multiple-wavelength laser wherein arbitrary wavelengths are combined. |
| 公开日期 | 1996-01-17 |
| 申请日期 | 1987-03-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84516]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 芹澤 晧元,堀 義和,松井 康,等. 半導体レ-ザ装置の製造方法. JP1996004176B2. 1996-01-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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