Semiconductor light emitting device
文献类型：专利
| 作者 | OTA, HIROYUKI; WATANABE, ATSUSHI |
| 发表日期 | 1992-12-22 |
| 专利号 | US5173751 |
| 著作权人 | SHOWA DENKO K.K. |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Semiconductor light emitting device |
| 英文摘要 | A semiconductor light emitting device has an epitaxial layer of which lattice match with a substrate crystal is made. The epitaxial layer is formed of mixed crystals of a plurality of Group III-V compound semiconductors on the substrate formed of a crystal of ZnO. More particularly, the expitaxial layer is formed of: Al.sub.x Ga.sub.1-X-Y In.sub.Y N (0.ltoreq.X<1, 0 |
| 公开日期 | 1992-12-22 |
| 申请日期 | 1991-07-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84519]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHOWA DENKO K.K. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | OTA, HIROYUKI,WATANABE, ATSUSHI. Semiconductor light emitting device. US5173751. 1992-12-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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