半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 佐藤 弘昌 |
| 发表日期 | 1994-11-01 |
| 专利号 | JP1994306616A |
| 著作权人 | 旭硝子株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】通常の半導体多層膜成膜プロセスに新たに工程を増加させることなく、またエピタキシャル成長を中断することなく回折格子を作製できる。 【構成】第2のp-AlGaAsクラッド層105の成長時にのみ干渉光を照射することにより、第2のp-AlGaAsクラッド層105と第3のp-AlGaAsクラッド層106の界面に、周期0.345μmの凹凸を作製した。 |
| 公开日期 | 1994-11-01 |
| 申请日期 | 1993-04-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84526]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 旭硝子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐藤 弘昌. 半導体素子の製造方法. JP1994306616A. 1994-11-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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